DMWS120H100SM4 pracuje při vysokém napětí 1200 V a proudu až 37 A při zachování velmi nízké tepelné vodivosti ( RθJC = 0,6 °C/W). Díky tomu je vhodný pro aplikace běžící v náročných prostředích. MOSFET vykazuje odpor v sepnutém stavu RDS(ON) pouze 80 mΩ (pro 15V buzení hradla) a náboj hradla je pouze 52 nC. Tím jsou zajištěny velmi nízké ztráty ve vedení, účinnost dosahuje velmi vysoké hodnoty a teplota pouzdra se drží na minimálních hodnotách.
Tento produkt je prvním SiC MOSFETem na trhu v pouzdře TO247-4, které obsahuje dodatečný pin pro snímání teploty (Kelvin sense pin). Pin se využívá pro optimalizaci spínacího výkonu, a tím je možné dosáhnout ještě vyšší hustoty výkonu. DMWS120H100SM4 má certifikaci AEC-Q101 a je vyráběn v procesu, který vyhovuje standardu řízení kvality pro automobilový průmysl IATF 16949.
Vlastnosti:
- Nízký odpor RDS(ON) pouze 80 mΩ
- Vysoké hodnocení BVDSS pro energetickou aplikaci
- Nízká vstupní kapacita 52 nC
- Povrchová úprava bez olova v souladu s RoHS
- Bez halogenu a antimonu. „Zelené“ zařízení
- Pro automobilové aplikace vyžadující specifickou kontrolu změn (tj. díly kvalifikované podle AEC-Q100/101/104/200
Aplikace:
- Napájecí zdroje datových center a telekomunikací
- Průmyslové motorové pohony
- DC-DC měniče
- Solární invertory
- Nabíječky baterií EV
Více informací naleznete na: https://www.diodes.com/part/view/DMWS120H100SM4/
