Jste zde

Nová řada MOSFET tranzistorů StrongIRFET

Tato řada vyniká extrémně nízkým odporem v sepnutém stavu (RDS), který je hlavním parametrem spínacích tranzistorů. I když jsou tranzistory nabízeny v miniaturním pouzdře D2PAK-7 jsou schopny pracovat s proudem až 360A. Proto najdou své uplatnění v aplikacích s vysokou hustotou výkonu.

Nová řada MOSFET tranzistorů StrongIRFET od společnosti Infineon je vhodná pro napětí 40 nebo 60 V. Unipolární tranzistory se používají zejména ve spínaných zdrojích, proto je důležitým parametrem odpor v sepnutém stavu(RDS), který by měl být co nejmenší. Tyto tranzistory vynikají extrémně nízkým odporem v sepnutém stavu, který se pohybuje od 0,65 mΩ po 1,5 mΩ. Jsou k dispozici v miniaturním pouzdře D2PAK-7 a jejich proudová odolnost dosahuje až 360A. Díky tomu jsou vhodné pro aplikace s vysokou hustotou výkonu, kde je vyžadována vysoká účinnost a spolehlivost. Své uplatnění proto naleznou v bateriově napájených aplikací jako je ruční elektrické nářadí, systémy pro správu baterií či zálohovací napájecí zdroje.

Vlastnosti

  • Certifikace dle normy JEDEC
  • Optimalizováno na 2,5 V, 5 V a 10 V napětí hradel
  • Extrémně nízký odpor RDS ( 0,65 mΩ až 1,5 mΩ)
  • Křemík optimalizovaný pro aplikace přepínající pod 100 kHz
  • Poskytuje imunitu proti falešnému zapnutí v zarušeném prostředí

Výhody

  • Poskytuje flexibilitu při výběru k dané aplikaci
  • Testované podle průmyslových standardů
  • Vysoký výkon v nízkofrekvenčních aplikacích
  • Zvýšená hustota výkonu

Aplikace

 

Více informací na:

 

 

Hodnocení článku: