EliteSiC MOSFET tranzistor NTH4L028N170M1 nabízí velmi vysoké průrazné napětí V(BR)RRM 1700 V. Takto vysoká hodnota je nezbytná pro výkonné průmyslové aplikace. MOSFET tranzistor najde uplatnění v aplikacích pro obnovitelné zdroje, kde se vyskytuje vyšší napětí. Je vhodný pro aplikace s rychlým přepínáním a poskytuje vyšší spolehlivost. Tranzistor dosahuje velmi dobré hodnoty náboje brány 200 nC při 1200 V a 40 A.
Dvě lavinové diody NDSH25170A a NDSH25170A mají taktéž vysoké průrazné napětí 1700V, které umožňuje stabilní provoz při vysokém napětí a ve zvýšených teplotách. Zároveň nabízí velmi vysokou účinnost díky technologii EliteSiC.
Vlastnosti NTH4L028N170M1:
- RDS(on) = 28 m @ VGS = 20 V
- Ultra nízký náboj brány QG = 200 nC
- Vysokorychlostní spínání s nízkou kapacitou (Coss = 200 pF)
- Průrazné napětí 1700 V
- Je v souladu s RoHS
Vlastnosti NDSH10170A:
- Maximální teplota přechodu: 175°C
- Avalanche Rated: 156 mJ
- Je v souladu s RoHS
- Kladný teplotní koeficient
Vlastnosti NDSH25170A:
- Maximální teplota spoje 175°C
- Avalanche Rated: 506 mJ
- Je v souladu s RoHS
- Kladný teplotní koeficient
Veškeré podrobné informace naleznete na NTH4L028N170M1, NDSH25170A, NDSH25170A
