<
Obvodové prvky mají při vysokých kmitočtech komplexní parametry. Tyto parametry se zadávají pro součástky formou tabulky komplexních parametrů s pro zvolené kmitočty.
S parametry tranzistoru a spuštění simulace:
Síťová analýza umožňuje zobrazit frekvenční závislost dvojbranových
parametrů s, z, y a h buď zvlášť modul/fáze nebo pomocí Smithova
nebo polárního diagramu..
Výsledek střídavé vf simulace parametrů tranzistoru
Multimediální režim simulace
V tomto režimu lze interaktivně ovládat části obvodu. Protože podle mého názoru je v tomto režimu nedostižný program Electronics Workbench (viz první díl článků), nepoužívám jej ani u tohoto programu ani u programu Micro-Cap. V následujícím animovaném gifu je naznačeno zadávání číselné hodnoty z klávesnice a zobrazení na segmentovce. Hezky je vyřešena indikace logické hodnoty na vodičích barevnými čtverečky. Multimediální simulace se spouští a zastavuje po vybrání typu (dig) tlačítkem vedle měřítka zobrazení (100%).
Muáltimediální simulace digitálního obvodu:
Pokud jste si stáhli na základě minulého článku soubory Evaluating
the Results of Symbolic Analysis (Sym2Ipr.scm) a Exporting Symbolic Results
to MathCad (MathCad.scm), zjistíte, že lze snadno přecházet ze symbolické
analýzy do interpreteru a pak do režimu grafu. Navíc i v demoverzi funguje
export vzorců do MathCadu. Škoda jen, že demoverze nevysype tabulku hodnot
grafu, protože pak by bylo možné místo asi nedostupného MathCadu nasadit
na další matematické zpracování mnohem dostupnější Excel.
|
||||
HW server doporučuje knihu tohoto autora :
SIMULAČNÍ PROGRAMY pro elektroniku
|
|||||||||||||||||