Jste zde

30V symetrické duální MOSFET tranzistory v miniaturním pouzdru

Libor Michalec, 1. Únor 2023 - 8:19

Vishay Intertechnology uvádí na trh dva 30V symetrické duální n-kanálové výkonové MOSFET tranzistory s technologií TrenchFET Gen V umístěné v pouzdru PowerPAIR 3x3FS o velikosti 3,3 mm x 3,3 mm. Jsou určeny pro výpočetní a telekomunikační aplikace, kde dochází k vysokofrekvenčnímu spínání.

Duální MOSFET tranzistory SiZF5300DT a SiZF5302DT lze použít místo dvou samostatných tranzistorů v pouzdru PowerPAK 1212 a tímto uspořit až 50 % místa na desce. Oproti duálnímu MOSFET tranzistoru v pouzdru PowerPAIR 6x5F dojde k úspoře místa až o 63 %. SiZF5302DT jsou dosahují nejvyšší účinnosti při 50 % střídě v proudovém rozsahu od 1 A do 4 A, zatímco SiZF5300DT jsou určeny pro vyšší proudy a to od 12 A do 15 A.

Aplikace pro synchronní převodníky, POL (point of load) měniče a DC/DC moduly v laptopech s USB-C napájením, servery, DC chladicí ventilátory a telekomunikační zařízení.
MOSFETy využívají technologii Vishay 30 V Gen V, a proto SiZF5300DT nabízí odpor v zapnutém stavu 2,02 mΩ při 10 V a 2,93 mΩ při 4,5 V. SiZF5302DT má odpor v zapnutém stavu 2,7 mΩ při 10 V a 4,4 mΩ při 4,5 V.
Čas nabíjení brány je až o 35 % nižší než u předchozí generace s podobným odporem v zapnutém stavu. U aplikací s vysokofrekvenčním spínání to znamená zvýšení účinnosti o 2 %. To znamená dosáhnutí účinnosti 98 % při 100 W.
Technologie flip-chip zlepšuje odvod tepla. Jedinečné rozmístění pinů umožňuje zjednodušené rozložení PCB a krátké spínací smyčky minimalizují energetické ztráty.