Jste zde

MOSFET tranzistory s velkou účiností pro zařízení malých rozměru a napájená bateriemi

ROHM nedávno vyvinula kompaktní, vysoce účinný 20V N-channel MOSFET transistor RA21C030LD, který je určen pro spínání ve velmi malých zařízeních jako jsou smartphony a nositelná zařízení. Díky svým rozměrům se vejde i do bezdrátových sluchátek či chytrých hodinek.

RA1C030LD je nabízen v pouzdru DSN1006-3 o rozměrech 1,0 mm × 0,6 mm a výškou pouhých 0,25 mm. Pokud jde o hodnotu, která vyjadřuje vztah mezi ztrátami ve vedení a spínáním (ON Resistance × Qgd), bylo dosaženo hodnoty, která je o 20 % nižší než u produktů v rozměrově stejném pouzdru. To znamená, že se dosáhlo mnohem vyšší účinnosti na výrazně menší ploše desky.

ON Resistance

Hodnota odporu mezi Drain a Source, když je MOSFET zapnutý. Čím menší je tato hodnota, tím nižší je (výkonová) ztráta ve stavu ON.

Qgd (Gate-Drain Charge)

Nižší hodnoty množství náboje mezi Gate a Drain po zapnutí MOSFETu umožňují rychlejší spínání, a to vede k nižší ztrátě výkonu. Unikátní struktura pouzdra zároveň poskytuje izolovanou ochranu bočních stěn. To snižuje riziko zkratů v důsledku kontaktu mezi součástmi ve velmi malých zařízeních.

Vlastnosti MOSFETů RA1C030LD

  • Nízký odpor max. 140 mΩ
  • Dokáže spínat až proud o hodnotě 3A
  • Malé rozměry: 1,0 x 0,6 x 0,25 mm
  • Polarita: N-kanál
  • Napětí VDSS: 20V
  • Proud ID: 0,14A
  • RDS(ON) @ VGS=2,5V: 0,13V
  • Ztrátový výkon: 1W

 MOSFET aplikace RA1C030LD

  • Sluchátka (tj. bezdrátová sluchátka)
  • Nositelná zařízení, jako jsou chytré hodinky, chytré brýle a akční kamery
  • chytré telefony

 

Více informací naleznete na RA1C030LD.

Přílohy: 
PřílohaVelikost
PDF icon 1622-ra1c030ldt5cl-e.pdf5.18 MB
Hodnocení článku: