PESD4V0Y1BBSF je obousměrná ochrana v pouzdru DSN0603-2 se dvěma vývody a s velmi nízkou indukčností. Nabízí spouštěcí napětí 6,3 V, odolnost 25 A vůči impulzu 8/20 µs a kapacitu 0,7 pF. PESD4V0Y1BBSF s upínacím napětím pouze 2,4 V při 16 A po dobu 100 ns a při proudovém impulzu 20 A pouze 3,4 V. PESD4V0X2UM lze zapojit jednosměrně nebo obousměrně a je dodáván v pouzdře DFN1006-3 se třemi vývody. Nabízí spouštěcí napětí 8 V a odolnost 14 A vůči impulzu 8/20 µs a kapacitu 0,82 pF.
Průběh impulzu dle IEC61000-4-5:
Obě výše uvedené součástky nabízejí vynikající ochranu pro USB2.0 D+/D- linky. PESD4V0Y1BBSF má propustné pásmo S21 přesahující 7,5 GHz, takže je vhodné i pro USB3.x @ 5 Gbps. Obě součástky poskytují vysokou úroveň odolnosti vůči přepětí, jak dokazují jejich vynikající vlastnosti při testech dle IEC61000-4-5.
Typické zapojení PESD4V0Y1BBSF a PESD4V0X2UM:
Vlastnosti ESD diody PESD4V0Y1BBSF:
- Obousměrná ESD ochrana
- VRWM = 4 V zařízení
- Velmi nízká kapacita diody Cd = 0,7 pF
- Velmi nízké upínací a spouštěcí napětí (6,7 V TLP) pro ochranu citlivých I/O
- Velmi nízká indukčnost
- ESD ochrana do ±30 kV podle IEC 61000-4-2
- Vysoká odolnost proti impulsu 8/20 µs dle IEC 61000-4-5 – až 25 A
- Velmi malé SMD pouzdro DSN0603-2 (0,625 x 0,325 x 0,32 mm)
- Překračuje IEC 61000-4-4 úroveň 4 pro I/O datové linky, splňuje IEC 61000-4-4 úroveň 4 pro napájecí porty (odpovídá 80 A při 50 Ω zakončení)
Vlastnosti ESD diodového pole PESD4V0X2UM:
- Jednosměrná/obousměrná ESD ochrana
- VRWM = 4 V zařízení
- Vysoká odolnost proti impulsu 8/20 µs dle IEC 61000-4-5 – až 11,5 A
- Velmi nízká kapacita diody, typicky Cd = 0,82 pF
- Velmi nízké upínací napětí pro ochranu citlivých I/O
- ESD ochrana do ±20 kV podle IEC 61000-4-2
- Velmi malé SMD pouzdro DFN1006-3 (1,05 x 0,65 x 0,5 mm)
- IEC 61000-4-4 robustní až do úrovně 4 pro I/O datové linky (odpovídá 40 A při zakončení 50 Ω)
Více informací naleznete na PESD4V0Y1BBSF a PESD4V0X2UM. Kompletní portfolio Nexperia TrEOS naleznete na nexperia.com/TrEOS
