Jste zde

Nové výkonové MOSFETy ON Semiconductor nejen do auta

Jan Robenek, 17. Únor 2011 - 0:00

Šestice nových výkonových MOSFETů, kompatibilních s logickými úrovněmi a vyhovujících AEC-Q101, nyní v ještě menším provedení, umocněném vysokou proudovou zatížitelností spolu s malým odporem v sepnutém stavu, splňuje požadavky, které na polovodiče klade náročný provoz v rámci automobilového průmyslu.

ON Semiconductor, přední dodavatel špičkových polovodičových řešení pro energeticky účinné elektronické systémy (viz také např. sérii článků s názvem Deset referenčních návrhů pro „zelené“ napájecí zdroje, kterou jsme před časem zveřejnili na hw.cz) představuje šestici nových, výkonových MOSFETů s jedním kanálem a malými pouzdry typu Flat Lead, vyhovujících AEC-Q101 a určených do automobilových modulů. Protože se jedná o pouzdra typu

SO-8FL o rozměrech 5 mm x 6 mm a
WDFN-8 s rozměry 3,3 mm x 3,3 mm,

můžeme říci, že tyto součástky zabírají jen polovinu, či dokonce ještě méně plochy, v průmyslové sféře jinak standardního pouzdření ve stylu DPAK, a přesto mohou i tak zaručit stejný, ne – li ještě nižší odpor v sepnutém stavu. Jako základní cílové aplikace tisková zpráva ON Semiconductoru zmiňuje spínání připojené zátěže, DC / DC konverzi nebo řízení napájení v rámci automobilových systémů vstřikování paliva, budičů pro řízení chodu motoru apod.

Díky kombinaci 30 V, 40 V a také 60 V struktur s kanálem typu N, ale také P, nabízí právě představené výkonové MOSFETy dostatečné možnosti volby pro celou řadu nových návrhů. Velmi malý odpor v sepnutém stavu R_DSon minimalizuje ztráty, přičemž vysoká proudová zatížitelnost v rozmezí od 6,3 A až do 65 A, v závislosti na konkrétním provedení výkonového polovodiče, zase podtrhne odolnost celého systému. Způsobilost k provozu v automobilových aplikacích zdůrazňuje „nálepka“ AEC-Q101.

NVMFS4841N (30 V, 65 A, kanál typu N)

patří pouzdro SO-8FL, zatímco

obývají zapouzdření typu WDFN-8.

Odpor v sepnutém stavu Power MOSFETu NVMFS4841N – prvního ze seznamu (30 V, 7 mΩ, 89 A, Single N−Channel SO8FL) jako funkce I_D a V_GS

„Na elektroniku, provozovanou v automobilových systémech, jsou kladeny dva základní požadavky – snižování celkových rozměrů daného modulu a spolehlivé, dostatečně odolné provedení“, říká Paul Leonard, vice president oddělení Power MOSFETů při ON Semiconductor. „Takové požadavky dokážeme naplnit díky našim novým výkonovým MOSFETům, se kterými vývojáři automobilových systémů ušetří drahocennou, skutečně zastavěnou plochu na DPS nebo také zapracují zvýšenou funkčnost do celkově menších návrhů.“