Cílových aplikací je celá řada od elektrických vozidel, přes infrastrukturu komunikačních sítí 5G, až k IoT. Kromě technického problému ztrát, rozptylu a chlazení mohou tranzistory Power GaN pomoci řešit  rostoucí tlak na snižování emisi CO2 vyžadují posun k účinnějším způsobům přeměny energie a zvýšenému podílu elektrifikace.

Technologie GaN překonává mnohá z omezení stávajících technologií, mezi které patří například technologie využívající tranzistory IGBT a SiC na bázi křemíku, díky čemuž poskytuje přímé i nepřímé výhody související se zvyšováním výkonu a účinnosti v celé řadě oblastí zahrnujících přeměnu energie.  U elektrických vozidel umožňuje použití technologie GaN přímé snižování výkonových ztrát, které mají nepříznivý dopad na dojezd vozidla.  Účinnější přeměna energie rovněž snižuje potřebu chladicích systémů, které odvádějí vyvíjené teplo, a současně přispívá ke snižování hmotnosti vozidel a složitosti systémů, což opět umožňuje dosahování delšího provozního dojezdu nebo stejného dojezdu při použití menšího akumulátoru.  Výkonové GaN FET tranzistory se dobře uplatňují také v datových centrech, telekomunikačních infrastrukturách a různých průmyslových aplikacích.

GaN FET tranzistory poskytují vynikající výkon jako součást řešení, která zahrnují například přímé spínání pro AC-DC PFC, založené na topologii Totem Pole, kompletní můstky s fázovým posunem LLC (s rezonanční nebo pevně nastavenou frekvencí) pro nepřímé spínání, všechny DC-AC technologie invertorů a AC-AC maticové měniče. 

K hlavním výhodám patří:

• Snadné buzení hradla, nízký RDS(on), rychlé spínání
• Vynikající vlastnosti základní diody (nízká hodnota Vf), nízká hodnota Qrr
• Vysoká odolnost
• Nízký dynamický RDS(on)
• Stabilní spínání
• Vynikající odolnost hradla proti odrazům (Vth ~ 4 V)

Nexperia je proslulá svým rozsáhlým portfoliem inovativních polovodičových výrobků.Technologie GaN stojí v popředí, pokud jde o navrhování energeticky účinných řešení, a tyto nové výrobky se budou v rozhodující míře podílet na budoucích inovacích v oblastech Internetu věcí, automobilového průmyslu a komunikačních sítí.

S cílem poskytnout podporu zákazníkům, kteří hledají možnost, jak se s technologií GaN FET seznámit, uspořádaly společnosti Farnell a element14 ve vzájemné součinnosti webový seminář, který povede Ilian Bonov, GaN International Product Marketing Engineer, ze společnosti Nexperia a který má umožnit „hlubší proniknutí“ do této nové technologie.  Seminář se uskutečnil pod názvem „Designing High-Efficiency and Robust Industrial Power Supplies with Nexperia GaN FETs“.  Tento webový seminář poskytl přehled o charakteristických prvcích technologie Cascode používané společností Nexperia a o výhodách topologií určených pro přímé i nepřímé spínání a rovněž zahrnoval případovou studii týkající se 4 kW Totem Pole PFCs.  Chcete-li se o tomto webovém semináři dozvědět více a zpětně sledovat jeho průběh, navštivte stránky https://www.element14.com/community/events/5572/l/designing-high-efficiency-and-robust-industrial-power-supplies-with-nexperia-gan-fets

Tranzistory řady GaN FET vyráběné společností Nexperia jsou dodávány v regionu EMEA přímo společností Farnell