Jste zde

Výkonové tranzistory Toshiba MOSFET pokryjí aplikace od 30 do 650V

Redakce, 15. Listopad 2023 - 8:37

Nový řada výkonových N-kanálových tranzistorů MOSFET je nyní dostupná pro aplikace automobilového průmyslu, zelených energií, automatizace, napájení a nabíjecích domácích přístrojů.

Většina těchto aplikací je založena na výkonových tranzistorech MOSFET. Jejich vlastnosti jsou naprosto zásadní pro celkový systémový výkon takových zařízení, stejně jako jsou zásadní pro vývojáře začínající nový projekt. Vývojáři potřebují snadný a rychlý přístup k těmto součástem důležitým pro navrhování, testování, vyhodnocování, prototypování a spouštění nových konceptů. Díky partnerství mezi společnostmi Farnell a Toshiba, která má nový výrobní závod na 300milimetrové wafery pro výkonové polovodiče, mohou obě firmy reagovat na exponenciální růst poptávky po vysoce kvalitních tranzistorech MOSFET a mnoha dalších polovodičových produktech.
Mezi nové tranzistory MOSFET, které jsou nyní k dostání od společnosti Farnell, patří:

Výkonový tranzistor MOSFET TPH3R10AQM: Toto zařízení je založeno na procesu U-MOS-X a vyznačuje se vylepšeným odporem při zapnutí a bezpečnou provozní oblastí. Zařízení je ideální pro náročné aplikace, jako je přepínání napájení v datových centrech, komunikační základnové stanice a mnohé průmyslové aplikace.

Řada DTMOSVI: Model TK055U60Z1 je prvním výrobkem 600V řady DTMOSVI, která je založena na nejnovější generaci procesů firmy Toshiba zahrnující strukturu super-junction a která je široce uznávána jako nejnovější posun v oblasti výkonových tranzistorů MOSFET. Nový tranzistor MOSFET je vybaven RDS(on) o odporu pouhých 55 mΩ, což představuje 13% vylepšení oproti podobným zařízením řady Toshiba DTMOSIV-H.
Výkonový tranzistor MOSFET TPH9R00CQ5: Tento nový výkonový tranzistor MOSFET je založen na procesu U-MOS X-H Trench a nachází své uplatnění ve vysoce výkonném přepínaném napájení, které se používá například v komunikačních základnách nebo jiných průmyslových aplikacích. Ve vysoce výkonných napájecích řešeních využívajících synchronní rektifikaci je obnovovací výkon z reverzace důležitý. Nový model TPH9R00CQ5 je vybaven vysokorychlostní diodou na těle, která snižuje náboj obnovení z reverzace (Qrr) přibližně o 74 % (na 34nC typ.) v porovnání se stávajícími zařízeními, jako je TPH9R00CQH.
Výkonový tranzistor MOSFET XPQR3004PB: Toto nové zařízení využívá vylepšené schopnosti odvodu tepla k vedení vyšších proudů v automobilové oblasti. 40V zařízení nabízí vyšší proudové možnosti a nižší odpor při zapnutí v tepelně vylepšených balíčcích L-TOGLTM.