Jste zde

Duální 100 V MOSFETy s velmi nízkým odporem v sepnutém stavu

Libor Michalec, 25. Říjen 2023 - 9:15

Nižší spotřeba energie a menší velikost motorů ventilátorů používaných v komunikačních základnových stanicích a průmyslových zařízeních vyžadují miniaturní drivery pro jejich řízení. Právě pro tento účel ROHM nabízí miniaturní MOSFET tranzistory o rozměrech 5,0 x 6,0 x 3,3 mm.

V posledních letech došlo v komunikačních základnových stanicích a průmyslových zařízeních k přechodu na vyšší napětí, a to ze systému 12 V / 24 V na 48 V. Cílem je dosáhnutí vyšší účinnosti a snížení průchozího proudu. V těchto situacích je u spínacích MOSFETů vyžadováno průrazné napětí 100 V, aby se zohlednilo kolísání napětí. Zvýšení průrazného napětí však zvyšuje odpor R_DS(on), a to obvykle vede ke snížení účinnosti.

V reakci na to ROHM vyvinul dvě nové řady – HP8KEx/HT8KEx (Nch+Nch) a HP8MEx (Nch+Pch), které kombinují Nch a Pch MOSFETy. Obě řady dosahují nejnižšího R_DS(on) v oboru tím, že používají inovativní pouzdra pro odvod tepla. Výsledkem je snížení R_DS(on) až o 56 % ve srovnání se standardními duálními MOSFETy (19,6 mΩ pro HSOP8 a 57,0 mΩ pro HSMT8 Nch+Nch). Tyto hodnoty výrazně přispívají k nižší spotřebě energie. Kombinace dvou čipů v jednom pouzdře zároveň poskytuje větší úsporu místa. Například nahrazení dvou jednočipových MOSFETů TO-252 jedním HSOP8 snižuje zabrané místo o 77 %.

Duální Nch+Nch MOSFET

Duální Nch+Pch MOSFET

Do řady budou přidány produkty 40V, 60V, 80V a 150V

Příklady aplikací

Motory ventilátorů pro komunikační základnové stanice
Motory ventilátorů pro automatizaci továren a další průmyslová zařízení
Motory ventilátorů pro servery datových center atd.

Příklady řešení s 100V duálními MOSFETy

Kombinace výše uvedených tranzistorů s na trhu osvědčenými integrovanými drivery ROHM pro jedno nebo 3-fázové bezkomutátorové motory nám dává možnost uvažovat o menších motorech s nižší spotřebou a tišším pohonem.