Jste zde

Paměti Parallel FRAM od firmy RAMTRON

rkalasekcitworld.com, 31. Květen 2005 - 0:00

V dalším pokračování ze série článků o pamětech FRAM z produkce firmy RAMTRON se podíváme na přehled pamětí Parallel FRAM, jejich základní vlastnosti a výhody.

V minulých článcích jste si mohli přečíst o základních vlastnostech a výhodách pamětí FRAM, které vyrábí firma RAMTRON. Jedná se o stálé paměti, které v sobě spojují permanentní zachováni informace podobně jako paměti ROM spolu s vlastnostmi, shodnými s pamětmi typu RAM. Také jste se mohli seznámit s paměťmi typu 2-wire FRAM a SPI FRAM. Dnešní článek je dalši ze seriálu a blíže se v něm podíváme na paměti typu Parallel FRAM.

Paměti Parallel FRAM

Jak již víte, FRAM jsou stálé paměti vyráběné pokročilým feroelektrickým procesem - díky tomu se pamět chová jako RAM (čas potřebný pro zápis je stejný jako pro čtení) a přitom poskytuje stálost zachování informace až po dobu deseti let bez potřeby záložní baterie. V porovnání například s BBSRAM je však paměť plně monolytická a poskytuje stejně rychlý zápis bez nevýhod použití záložní baterie, či hybridního provedení.

Tyto vlastnosti činí Parallel FRAM ideální pro aplikace vyžadující stálost uložených dat, častý a rychlý zápis do paměti i vysokou odolnost vůči nepříznivým prostředím. Dostupná jsou i pouzdra pro povrchovou montáž a nespornou výhodou je i to, že pamět lze použít jako náhradu baterií zálohované SRAM - takové řešení je nejen odolnější, ale i úspornější, jak z hlediska prostoru, tak z hlediska financí.

Hlavní výhody pamětí Parallel FRAM

  • Rozložení pinů jako standardní SRAM/EEPROM
  • Rychlý zápis "NoDelay?" - zápis a čtení odpovídá rychlosti sběrnice, žádné prodlevy
  • Vysoká výdrž a doba držení informace, u třívoltových verzí dokonce neomezená
  • Nízký napájecí proud: < 20?A
  • Nízká spotřeba, stejná pro čtení i zápis
  • Výroba vysoce spolehlivým feroelektrickým procesem

 

Přehled pamětí Parallel FRAM od firmy Ramtron

V tabulce najdete základní parametry Parallel FRAM pamětí od firmy RAMTRON a jejich datasheety, ve kterých najdete detailní informace o každém typu.

Typ
Kapacita
Pouzdro
Přístupová doba
Napájecí napětí (Vdd)
Spotřeba proudu (IDD)
Datasheet
FM20L08
128Kb x 8
32T
60ns
3.3V +10%, -5%
20mA
FM18L08
32Kb x 8
28S, 28P
70ns
3.0 - 3.6V
15mA
FM1808
32Kb x 8
28S, 28P
70ns
5V
25mA
FM1608
8Kb x 8
28S, 28P
120ns
5V
15mA

 

Základní vlastnosti

 

  • Napájení: 3,3V, nebo 5V (podle typu paměti)
  • Výdrž: neomezený počet cyklů zápis/čtení
  • Doba zachování informace: min. 10 let
  • SW ochrana proti zápisu
  • Stránkování až do 33MHz
  • Odběr proudu: 15 - 20 ?A
  • Provozní telota: 0°C až +70°C, k dispozici i průmyslové typy s prov. teplotou -40°C až +85°C
  • Kompatibilní s SRAM (přístupová doba 60ns)
  • Paměti jsou odolné vůči podpětí
  • Paměti jsou vysoce odolné vůči vlkosti, šoku a vibracím - vhodné pro náročná prostředí
  • Vyrobeno vysoce přesným a spolehlivým feroelektrickým procesem

 

Blokové schéma


Blokové schéma paměti FM18L08 (256Kb Parallel FRAM Memory)

 

  • A0-A14 (vstup):adresa - 15 adresových linek vybírá jeden ze 32,768 bajtů z FRAM array.
  • DQ0-7 (vstup/výstup):8-bitová obousměrná sběrnice pro vstup a výstup dat.
  • /CE (vstup):Chip Enable - nízká uroveň tohoto vybírá čip jako aktivní
  • /OE (vstup):Output Enable - log. 0 aktivuje datovou sběrnici, při log. 1 jsou piny DQ třístavové
  • WE (vstup):Write Enable - při log. 0 se do paměti zapíše obsah datové sběrnice
  • VDD, VSS: napájecí napětí

 

Práce s pamětmi FRAM

Pokud pracujete s FRAM poprvé, je zde několik drobných rozdílů oproti práci s SRAM. FRAM uzamkne adresu při sestupné hraně signálu /CE, díky čemuž se vstup adresové sběrnice může změnit po začátku přístupu do paměti. Proto bežně nelze tento signál uzemnit, jako je tomu u SRAM (u některých typů FRAM, ktere jsou navrhovány jako přímá náhrada SRAM je však toto uzemění možné a funkci nijak neovlivní).

Pokud nahrazujete SRAM v již existující aplikaci, je dobré si zkontrolovat kompatibilitu časování adresových a ovládacích pinů. Každý přístup do paměti musí být uvozen sestupnou hranou signálu /CE, což je ve většině případů jediná vyžadovaná změna.


správné časování (FRAM)


nesprávné časování (SRAM)

Další, co je třeba uvážit, je úroveň signálu VDD během provozu. Baterií zálohované SRAM monitorují úroveň tohoto signálu, aby mohly včas přepnout na zálohovací baterii a obvykle zablokují přístup v případě, že VDD klesne pod určitou úroveň - tím zabraňují vybití baterie. FRAM tento systém ochrany nepotřebují a tudíž nezablokují přístup v případě poklesu napájecího napětí, uživatel by proto měl zajistit, aby procesor do paměti nepřistupoval, pokud je VDD mimo toleranci. Běžnou praxí je v takovýchto případech držet procesor ve stavu resetu, pro FRAM není nutné tato opatření nějak zvlášť upravovat.

Závěr

Bližší informace o pamětech FRAM získáte u jejich českého výhradního distributora, firmy CIT international, kterého můžete kontaktovat pomocí našeho formuláře, či v některém z následujících článků, ve kterých si představíme další typy pamětí.  

David Šmíd
smid@ hwg.cz

DOWNLOAD & Odkazy

Hodnocení článku: