Obvody STMicroelectronics

• SPT01-335DEE,
• Automation sensor transient and over voltage protection,

byly speciálně navrženy s ohledem na ochranu 24 V snímačů přiblížení, zahrnujíce přitom opačnou polaritu a přepětí napájecího zdroje a také přepětí na výkonovém spínači. Maximálně kompaktní a také flexibilní řešení přitom osloví topologie snímačů v provedení PNP i NPN. Struktury SPT01-335 při svých ochranných činnostech rovněž nabídnou nejvyšší úroveň shody s požadavky

• IEC 61000-4-2,
• IEC 61000-4-4 a
• IEC 60947-5-2/IEC61000-4-5.

Pod označením SPT01 najdeme trojnásobné pole, vzájemně oddělených omezovacích diod, zabydlených v pouzdru QFN-3x3. Diody lze přitom v dané aplikaci zapojit nezávisle na sobě, tj. např. se

• společnou katodou v případě konfigurace PNP či se
• společnou anodou v případě konfigurace typu NPN.

Struktura byla optimalizována pro sběrnicová napětí 24 V (Vcc < 36 V), přičemž chrání napájení včetně výkonových spínačů před standardizovaným přepětím a zbytkovými potenciály až do 46 V. Uplatnění nalezne v

• automatizaci,
• při ochraně snímačů přiblížení dle EN60947-5-2 nebo
• v rámci obecné ochrany před přepólováním, přechodovými jevy a přepěťovými stavy.

Základní vlastnosti SPT01-335DEE:

Ochrana před přepólováním, propustné charakteristiky:

• Vrrm > 33 V
• Vf < 1 V @ If = 300 mA
• Ifsm > 1 A s 10 ms obdélníkem

Ochrana proti přepětí, omezovací charakteristiky:

• Vbr > 36 V
• Vcl < 46 V @ Ipp = 2 A, 8/20 µs

Shoda s IEC 61000-4-x:

• Vlna: +/-1 kV s Rcc = 500 Ω
• ESD: +/-15 kV vzduch / 8 kV kontakt

Výhody:

• Řešení, zaměřené na aplikace, podpora IEC 60947-5-2
• Flexibilní 300 W, 8/20 µs ochrana pro PNP i NPN typy
• Rozměry na desce plošného spoje pod 3.4 mm x 3.4 mm – menší než jakékoli 100 W, trojnásobné diskrétní diody
• Vysoká spolehlivost planární technologie (175 °C)

Download a odkazy:

• Domovská stránka STMicroelectronics: http://www.st.com/
  • Popis SPT01-335DEE 
  • Datasheet SPT01-335DEE 
• Distributor pro ČR