Jste zde

1.8 V, nízkopříkonová sériová Flash

Jan Robenek, 6. Srpen 2010 - 8:27

Microchip rozšiřuje nabídku 1.8 V sériových pamětí typu Flash, aby tak účinně podpořil nejnovější generace nízkopříkonových elektronických zařízení.

Konkrétně se jedná o čip s označením

SST25WF080,
8Mbit 1.8V SPI Serial Flash,

tj. sériovou paměť typu Flash, jinak také nejnovějšího člena 25kové řady s rozhraním SPI, využívající chráněnou technologii Microchipu s názvem SuperFlash®. Nízkonapěťová (1.8 V), 8 Mbitová struktura vyniká extrémně malou spotřebou pouhých 5 μA (Standby), resp. 2 mA aktivním odběrem během čtení (typická hodnota pro 33 MHz). V řadě 1.8 V sériových Flash č. 25 zároveň představuje paměťový prostor s nejvyšší hustotou. Díky 75 MHz taktování a provoznímu teplotnímu rozsahu od -40 °C až do +85 °C mohou integrované obvody vhodně podpořit nejnovější generace nízkopříkonových elektronických zařízení typu

přenosných počítačů,
pevných disků,
náhlavních souprav s technologií Bluetooth®,
Wi-Fi® i dalších bezdrátových prvků, stejně jako
nejrůznější kamerové moduly.

Kde všude najdeme paměti Flash aneb jak trávit vzácné chvíle u společného jídla...

Struktury SST25WF080 výrazným způsobem zlepšují dosahovanou výkonnost včetně spolehlivosti, přičemž ještě zároveň dokáží snížit vlastní proudovou spotřebu. Obvody zapisují (tj. Program či Erase) za přispění jediného napájecího napětí v rozsahu 1.65 V až 1.95 V. Celková spotřebovaná energie pak odpovídá velikosti přiváděného napětí, odebíranému proudu a také délce trvání daného cyklu. Protože v rámci pevně stanoveného napěťového rozsahu protečou čipy s technologií SuperFlash během programování menší proudy a protože také mazání nebude trvat tak dlouho, zůstane celkově spotřebovaná energie pro jakékoli mazání či zápis nižší než v případě alternativních technologií konkurenčních pamětí typu Flash.

V současné době je Microchip jedinou společností, která se může pochlubit úplnou nabídkou 1.8 V sériových pamětí Flash s možnostmi, které nabízí rozsah od 512 Kbitů až do 8 Mbitů. Přidejme ještě výše zmíněnou minimální spotřebu spolu s rychlým taktováním a dostaneme ideální podporu prodloužené životnosti napájecích článků a také nadmíru citlivých systémů v podobě moderních elektronických zařízení. Pokud jde o samotné fyzické provedení, máme v případě pamětí SST25WF080 k dispozici 8pinové pouzdro SOIC nebo také 8vývodové XFBGA.

Možnosti, které v SST používají k zapouzdření sériových Flash, ovlivní velikost zastavěné plochy

Některé vlastnosti SST25WF080:

8Mbitová sériová Flash
Jednoduché napětí pro čtení i zápis 1.65 V až 1.95 V
Sériové rozhraní, kompatibilní s SPI (režim 0 a režim 3)
Hodinový kmitočet 75 MHz
Typické časy
- 35 ms (Chip-Erase Time)
- 18 ms (Sector-/Block-Erase Time)
- 14 μs (Byte-Program Time)
Zatížitelnost 100 000 cyklů (typ.)
Uchování dat po dobu více než 100 let
Velmi malá spotřeba
- Aktivní odběr (čtení) 2 mA typ. při 33 MHz
- 5 μA typ. (Standby)
Teplotní rozsah -40 °C až +85 °C
Zapouzdření
- 8vývodové SOIC
- 8vývodové XFBGA
RoHS compliant