ON Semiconductor představil nový obvod NCP5680, který ve spolupráci s tenkým superkapacitorem (např. 0.9 F @ 5.5 V) a vnějšími tranzistory dokáže zajistit až 10 A pro pokrytí nárazových špiček výkonných LED diod (např. Oslux od Osramu), určených zejména pro záblesková zařízení ultra - tenkých mobilních telefonů s fotoaparátem či samotných digitálních přístrojů stejné funkce. Volba této struktury vychází z požadavků současných WLED, které sice umí vyrobit dostatečně silné osvětlení, ale budou k tomu vyžadovat obrovské množství energie, mnohdy nad rámec běžně užívaných napájecích článků. Nízkoprofilové pouzdro o výšce pouhých 0.55 mm naproti tomu dokáže ve spojení s vnější kapacitou a svým výkonovým managementem hospodárně pracovat s omezenou výdrží napájecích článků, přičemž pohotově zajistí dostatečné osvětlení snímané scény a to nejen při fotografování, ale také v případě videozáznamů kompaktními kamerami. Plně programovatelné řízení nabíjení i vybíjení superkapacity včetně jedinečné ochrany proti přetížení zajišťuje odpovídající množství světla pro vysoce kvalitní snímky s vysokým rozlišením a to i v případě jinak nevyhovujících světelných podmínek. Vestavěný budič může v přenosných zařízeních napájet i další obvody s nárazovými odběry proudu, např. zoom, auto-focus, audio, video, bezdrátovou komunikaci, GPS apod. a prodloužit tak provozní dobu baterie, resp. celého zařízení.
Typické zapojení NCP5680 pro buzení dvou bílých LED
I2C registry čipu NCP5680 dovolují uživatelská, real – time nastavení výstupního proudu a délky trvání záblesku každé ze dvou použitých LED. Tímto způsobem lze vyrábět nejrůznější světelné efekty, např. prostou indikaci, předblesk, výkonový záblesk pro fotografování, přisvětlení scény pro videozáznam aj. Pokud k obvodu zapojíme senzor okolního světla, bude NCP5680 automaticky limitovat délku záblesku a bránit tak nesprávnému exponování.
Zjednodušený blokový diagram NCP5680
Čip rovněž umí zakázat nabíjení během GSM relace, čímž hospodárněji využije potenciál napájecího článku. Vzhledem k velikostem protékajících proudů výrobce neopomenul vybavit polovodivou strukturu celou řadou ochran, např. time – outem blesku, detekcí teploty nebo ochranou proti přetížení a zkratu.
Základní vlastnosti NCP5680:
- Vstupní napěťový rozsah 2.7 až 5.5 V
- Buzení dvou výkonových LED
- Ochrana proti přetížení a zkratu
- Výběrové provozní módy (záblesk, přisvětlení apod.)
- Možnost napájení periferních obvodů
- Vyhodnocení okolního světla
- Nastavitelný time – out blesku
- Podpora externích NMOSových struktur až do 10 A
- Vbias pro SuperCAP
- I2C rozhraní
- Podpora GSM synchronizace
- Vestavěný test LED
- Halide−Free a Pb−Free obvod
- Pouzdro µQFN-24
- Rozměry 3.5 mm x 3.5 mm x 0.55 mm
Další příklad možného způsobu provozování NCP5680
Dostupnost a cena:
Při odběru 3 000 ks dostanete jedno provedení NCP5680 za $1.10.
Vývojový board pro NCP5680. SuperCAP byl osazen vlevo nahoře. Nezabere hodně místa, jen je potřeba dávat větší pozor při čištění, abychom nesmyli jeho popis.
Schéma zapojení výkonové části boardu
Download a odkazy:
- Domovská stránka ON Semiconductor: http://www.onsemi.com/
- Hrajeme si se světlem (hw.cz)
- Signalizujeme, podsvětlujeme a svítíme s LED (hw.cz)