Texas Instruments představuje poloviční můstek se synchronními MOSFETy, který při protékajícím proudu o velikosti 25 A nabídne více než 90procentní účinnost. Ve srovnání s konkurenčními výkonovými MOSFETy přitom šetří celou jednu polovinu místa na plošném spoji. Novinka TI v podobě výkonového bloku CSD86350Q5D v sobě spojuje dva asymetrické výkonové MOSFETy NexFET, zapouzdřené pokrokovými metodami tak, aby bylo možno nabídnout vysoké výkony pro nízkonapěťové, synchronně snižující aplikace s polovičními můstky, tj. např. servery, osobní počítače, notebooky, základnové stanice, spínače, routery či POL (point-of-load) měniče s velkými provozními proudy.
Vedle vylepšené účinnosti a také výkonové hustoty stojí za zmínku i možnost průtoku až 40 A při spínacím kmitočtu až do 1.5 MHz, čímž dále snižujeme rozměry celého řešení včetně jeho ceny. Jednoduššímu vývoji také nahrává optimalizované rozvržení vývodů včetně uzemněné pájecí plochy. A co více, výkonové bloky NexFET mohou dosahovat srovnatelných výkonů jako další polovodičové technologie, např. GaN, ale za menší cenu.
Základní vlastnosti a výhody výkonového bloku CSD86350Q5D:
- Výkonový blok, složený z polovičního můstku
- 90procentní účinnost při odběru 25 A
- Maximální proudy až do 40 A
- Vysoké provozní kmitočty až do 1.5 MHz
- Vysoká hustota – pouzdro SON o rozměrech 5 mm x 6 mm
- Optimalizováno pro 5 V buzení hradla
- Malé ztráty během spínání
- Pouzdro s extrémně malými indukčnostmi
- Vyhovuje RoHS
- Halogen Free, Pb – Free (vývody)
Dostupnost a cena:
Výkonové bloky NexFET jsou dostupné již nyní v SON zapouzdření o rozměrech 5 mm x 6 mm. Doporučená prodejní cena obvodů CSD86350Q5D činí při odběru 1 000 ks $1.75. K dispozici máme rovněž vzorková množství nebo vývojové moduly.
Download a odkazy:
- Domovská stránka Texas Instruments v češtině: http://www.ti.com/ww/cz/
- Distributor pro ČR
