Fairchild Semiconductor představuje nízkoprofilovou kombinaci výkonového MOSFETu PowerTrench® s kanálem typu P a Schottkyho diody ve společném provedení s názvem FDFMA2P859T, Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode. Vysoké požadavky na dosahovanou účinnost i teplotní charakteristiky pomáhá naplnit použité pouzdro MicroFET s rozměry 2 mm x 2 mm při výšce snížené na pouhých 0.55 mm, což ve srovnání se standardní výškou 0.8 mm tvoří úsporu celých 30 procent. V pouzdru tedy najdeme MOSFET s malým odporem v sepnutém stavu a nezávisle zapojitelnou Schottkyho diodu s nízkým napěťovým úbytkem v propustném směru pro dosažení minimálních výkonových ztrát.
Pro podrobnější analýzu elektrických i tepelných vlastností dané aplikace vhodně poslouží nástroj FETBench, zahrnující technické parametry více než 300 nejčastěji používaných MOSFETových struktur od Fairchild Semiconductor. Simulační prostředí FETBench tak rychle zajistí přesnou analýzu problému, na kterou již běžný datasheet se svými omezenými prostředky nemusí stačit.
Blokové schéma digitálního fotoaparátu s vyznačeným polem působnosti pro výkonové tranzistory MOSFET
Základní vlastnosti FDFMA2P859T:
- MOSFET
- Max rDS(on) = 120 mΩ pro VGS = –4.5 V, ID = –3.0 A
- Max rDS(on) = 160 mΩ pro VGS = –2.5 V, ID = –2.5 A
- Max rDS(on) = 240 mΩ pro VGS = –1.8 V, ID = –1.0 A
- Schottkyho dioda
- VF < 0.54 V @ 1 A
- Malá výška
- Max. 0.55 mm v rámci nového zapouzdření MicroFET (2 mm x 2 mm)
VA charakteristiky vestavěné Schottkyho diody (závěrný proud by měl mít zřejmě jednotku „μA“)
Dostupnost a cena:
Při odběru 1 000 ks dostaneme obvod za $0.39.
Download a odkazy:
- Domovská stránka Fairchild Semiconductor
- Distributor pro ČR
- Nové MOSFETové řady z ON Semiconductor (hw.cz)
