Obvody STMicroelectronics
- SPT01-335DEE,
- Automation sensor transient and over voltage protection,
byly speciálně navrženy s ohledem na ochranu 24 V snímačů přiblížení, zahrnujíce přitom opačnou polaritu a přepětí napájecího zdroje a také přepětí na výkonovém spínači. Maximálně kompaktní a také flexibilní řešení přitom osloví topologie snímačů v provedení PNP i NPN. Struktury SPT01-335 při svých ochranných činnostech rovněž nabídnou nejvyšší úroveň shody s požadavky
- IEC 61000-4-2,
- IEC 61000-4-4 a
- IEC 60947-5-2/IEC61000-4-5.
Pod označením SPT01 najdeme trojnásobné pole, vzájemně oddělených omezovacích diod, zabydlených v pouzdru QFN-3x3. Diody lze přitom v dané aplikaci zapojit nezávisle na sobě, tj. např. se
- společnou katodou v případě konfigurace PNP či se
- společnou anodou v případě konfigurace typu NPN.
Struktura byla optimalizována pro sběrnicová napětí 24 V (Vcc < 36 V), přičemž chrání napájení včetně výkonových spínačů před standardizovaným přepětím a zbytkovými potenciály až do 46 V. Uplatnění nalezne v
- automatizaci,
- při ochraně snímačů přiblížení dle EN60947-5-2 nebo
- v rámci obecné ochrany před přepólováním, přechodovými jevy a přepěťovými stavy.
Základní vlastnosti SPT01-335DEE:
Ochrana před přepólováním, propustné charakteristiky:
- Vrrm > 33 V
- Vf < 1 V @ If = 300 mA
- Ifsm > 1 A s 10 ms obdélníkem
Ochrana proti přepětí, omezovací charakteristiky:
- Vbr > 36 V
- Vcl < 46 V @ Ipp = 2 A, 8/20 µs
Shoda s IEC 61000-4-x:
- Vlna: +/-1 kV s Rcc = 500 Ω
- ESD: +/-15 kV vzduch / 8 kV kontakt
Výhody:
- Řešení, zaměřené na aplikace, podpora IEC 60947-5-2
- Flexibilní 300 W, 8/20 µs ochrana pro PNP i NPN typy
- Rozměry na desce plošného spoje pod 3.4 mm x 3.4 mm – menší než jakékoli 100 W, trojnásobné diskrétní diody
- Vysoká spolehlivost planární technologie (175 °C)
Download a odkazy:
- Domovská stránka STMicroelectronics: http://www.st.com/
- Distributor pro ČR