Fairchild Semiconductor rozšiřuje svou nabídku výkonových tranzistorů o duální MOSFET FDMC8200, Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 9.5 mΩ and 20 mΩ, určený zejména pro synchronní, snižující aplikace, kterým pomáhá zvýšit výkonovou hustotu včetně celkové míry účinnosti. Optimalizované rozvržení jednotlivých vývodů navíc zjednodušuje návrh plošného spoje pro nejrůznější zařízení, využívající spínaných DC / DC měničů.
FDMC8200 je k dispozici v miniaturním, 8vývodovém pouzdru Power 33 (MLP) s rozšířenou tepelnou působností a rozměry 3 mm x 3 mm, ukrývajícím dva 30 V MOSFETy s kanálem typu N, řídicí Q1 (high – side) a synchronní Q2 (low – side), vyráběné pod ochrannou známkou PowerTrench. Za zmínku stojí velmi nízký odpor v sepnutém stavu rDS(on), který se výraznou měrou podílí na velikosti ztrát během spínání. Unipolární dvojice vykazuje pro high – side typickou velikost 24 mΩ, zatímco low – side pracuje s odporem 9.5 mΩ. Tranzistory přitom může protékat více než 9 A.
Vnitřní zapojení FDMC8200 a přiřazení jednotlivých vývodů
Základní vlastnosti FDMC8200:
- Q1: Kanál typu N
- Max rDS(on) = 20 mΩ pro VGS = 10 V, ID = 6 A
- Max rDS(on) = 32 mΩ pro VGS = 4.5 V, ID = 5 A
- Q2: Kanál typu N
- Max rDS(on) = 9.5 mΩ pro VGS = 10 V, ID = 9 A
- Max rDS(on) = 13.5 mΩ pro VGS = 4.5 V, ID = 7 A
- RoHS Compliant
Příklad některých typických charakteristik tranzistoru Q1 v rámci obvodu FDMC8200:
FDMC8200 je součástí komplexní výkonové nabídky Fairchildu, ze které můžeme dále jmenovat např.
- FDMS9600S, Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET Q1: 30V, 32A, 8.5mΩ Q2: 30V, 30A, 5.5mΩ
FDMS9600S
- FDMS9620S, Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET Q1: 30V, 16A, 21.5mΩ Q2: 30V, 18A, 13mΩ
Dostupnost a cena:
Při odběru 1000 ks dostaneme obvod FDMC8200 za $0.84.
Download a odkazy:
- Domovská stránka http://www.fairchildsemi.com/
- Výkonové FETy pro leteckou dopravu a radary (hw.cz)
- Nezničitelné tranzistory šesté generace (hw.cz)
For engineers who help keep the world green … (Pro inženýry, kteří pomáhají udržet svět zelený ...)
