V nové sérii IGBT modulů určených pro napětí 1700V, společnost MITSUBISHI (distributorem je u nás firma GLYN) perfektně zkombinovala výhody technologie výroby čipů CSTBT (Carrier Stored Trench Bipolar Transistor), která je již páté generace, spolu s vlastnostmi polovodičových waferů LPT (Light Punch Through wafers).

Obecně:

IGBT tranzistory jsou výkonové polovodičové součástky, které kombinují jednoduchost řídící charakteristiky (na vstupu Gate) unipolárních tranzistorů typu MOSFET, spolu s vysokým proudem a nízkou napěťovou saturací bipolárních tranzistorů.

Izolovaná vstupní část FET (hradlo Gate) používaná na řízení a výkonný bipolární výstup pro vysoké proudy a napětí, jsou umístěny v jednom pouzdře a celý komplet se právě nazývá IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).

Tyto obvody se nejčastěji používají ve středně a vysoce výkonných aplikacích jako spínače napájecích napětí (trolejí, aj.), řízení trakce motorů nebo indukční ohřev (elektrické pece na tavení kovů aj.). Velmi velké obvody IGBT obsahují spousty základních bloků (tedy hradlo Gate z FET tranzistoru a kolektor-emitor z bipolárního tranzistoru) propojených paralelně a zvládají tak proud stovek ampér při napětí až 6000 Voltů.

IGBT Mitsubishi:

Uvedenou technologií (CSTBT a LPT) se podařilo dosáhnout velmi nízkého saturačního napětí s typickou úrovní 2,4V. Současně moduly IGBT pracují s nízkými on/off energiemi (Eon/Eoff) a obsahují obvody pro ochranu proti zkratu.

Pro tyto moduly jsou vyráběny pouzdra s velmi nízkými indukčnostmi. Díky použití izolačního substrátu AIN se podařilo společnosti MITSUBISHI dosáhnout lepších hodnot tepelného odporu, než je tomu u jiných 1700V IGBT modulů, které jsou již běžně dostupné na trhu.

Nová řada (1700V) nabízí zdokonalené tepelné vlastnosti, kterých se podařilo dosáhnout pomocí přesné kontroly tloušťky pájecího materiálu spojující AIN substrát se základním plátem (viz obrázek).Přizpůsobení RoHS bylo dosaženo bez jakéhokoliv ovlivnění parametrů (jako teplotní nebo výkonové životní cykly).

Nová série 1700V IGBT modulů představuje nejlepší možnou kompatibilitu se starší řadou A 1200V a je navržena pro zařízení pracujících s hlavním napětím 575 a 690V. Half-bridge moduly jsou určeny pro proudy mezi 75 až 400A.

Pro více informací kontaktujte české zastoupení společnosti GLYN GmbH & Co. KG. či e-mailem, na sales@ glyn.cz.

Odkazy & Download

• Oficiální stránka českého zastoupení - www.glyn.cz
• Oficíální stránky GLYN GmbH & Co. KG - www.glyn.de