Základní buňkou paměti Flash je tranzistor MOS s plovoucím hradlem (FGMOS).

 

 

Vymazaná buňka nemá v hradle uskladněn náboj (elektrony) a prahové napětí tranzistoru je Vt1. Při programování je náboj uskladněn v hradle a tím zvýší prahové napětí tranzistoru na hodnotu Vt0. Při čtení je na hradlo přivedeno referenční napětí Vtref a vyhodnocuje se proud tekoucí mezi drain a source tranzistoru.

 

 

Pokud je proud menší než prahová hodnota, je buňka naprogramována, čemuž odpovídá stav logické nuly (0, L). V opačném případě bude stav vyhodnocen jako logická jednička (1, H). Při mazání je náboj z hradla odčerpán a prahové napětí se vrátí v ideálním případě na hodnotu Vt1.

 

 

Při programování nebývá v praxi do hradla uložen vždy stejný náboj, obdobně při mazání nemusí být vždy odčerpán všechen náboj a při čtení může být ovlivněn náboj, uložený v sousedních buňkách. Po každém přepisu (programování / mazání) se rozdíl prahových napětí snižuje, až nakonec dosáhne hodnoty, kdy už není možné rozlišit naprogramovaný a smazaný stav. Každá buňka Flash má tedy omezený počet přepisů. Se zmenšováním rozměrů buňky se počet přepisů snižuje. SLC (single-level cell) Flash buňka SLC Flash uchovává 1 bit. Pokud se Vt nachází v oblasti 1, je buňka smazaná, pokud se nachází v oblasti 0, je naprogramovaná.

 

 

 

 

Buňka MLC Flash uchovává 2 bity. Pokud se Vt nachází v oblasti 11 – buňka je úplně smazaná, 01 – částečně smazaná, 00 – částečně naprogramovaná a 10 – plně naprogramovaná. Obvody programování musí být schopny uložit do plovoucího hradla 4 různé náboje. K dosažení tak precizní distribuce náboje je potřebný složitější a časově náročnější postup. Ve výsledku je programování téměř 4 krát pomalejší než u SLC buňky. Čtení je také pomalejší. Rozsah hodnot prahového napětí je stejný jako u SLC paměti, ale je rozdělen na 4 oblasti. Rozdíl prahových napětí je menší než u SLC paměti, což vede k prudkému poklesu počtu přepisů.

 

 

 

 

Technologie SLC-Lite je založena na MLC Flash, ovšem firmware je upraven tak, aby používal pouze stavy 11 a 10 (největší rozdíl prahového napětí Vt).

 

 

 

 

 

První vzorky paměťových karet Apacer SLC-Lite s kapacitou 4 GB a 8 GB má distributor, společnost SOS electronic, skladem. V případě zájmu pište na info@soselectronic.cz.