Kdy je to výhodné?

Především tehdy, pokud dosáhneme podstatně menší úbytek v sepnutém stavu, než u diody. Tedy u tranzistorů s odporem řádově v miliohmech. Pokud by úbytek přesáhl 0,6V, proud prochází přes substrátovou diodu a zapojení postrádá smysl. Pokud použijeme např. IRL2203N s odporem 8 mW, při proudu 20A bude úbytek pouze 0,16V.

Důležité je tranzistor správně řídit. Ideální by bylo spínání přesně v nule. Vzhledem k napěťovému driftu zesilovačů se sepnutí zpravidla posune mimo nulu. Pokud sepnutí proběhne v kladné polaritě, tedy dříve, dojde k rozepnutí až v době, kdy "závěrný" proud FETdiody dosáhne dostatečnou hodnotu pro vytvoření úbytku pro dosažení komparačního napětí. Usměrňovač bude produkovat do sítě nepřípustné rušení. Pokud sepnutí proběhne v záporné polaritě, dojde při sepnutí k snížení úbytku pod komparační hodnotu a usměrňovač při sepnutí několikrát zakmitá. Řešením není ani hystereze.

 

Optimální je řídit tranzistor lineárně s komparační úrovní posunutou do záporné polarity. V zapojení na obrázku je pro vstupní napětí 12V rozhodovací úroveň posunuta odporem R5 na -50 až -100 mV. Řídící napětí tranzistoru narůstá podle zatížení a cca při 10A, kdy dosáhne maximum, začne narůstat úbytek na tranzistoru.

S uvedeným zapojením byl zrealizován můstek 12V 10A a tranzistory při tomto zatížení nepotřebovaly chladič. Zapojení je sice dražší než běžný diodový můstek, ale někdy je lepší do zařízení nasypat o něco více křemíku, než vymýšlet způsob odvodu tepla z diod. Pro větší výkony se to opravdu vyplatí.

Vzhledem k omezené rychlosti řídícího zesilovače je zapojení vhodné pouze pro kmitočet 50 Hz.

Plošný spoj FETdiody a celého můstku je zde.

DOWNLOAD & Odkazy

• Plošné spoje a osazení ke stažení - fetdioda.zip