Budeme – li porovnávat s možnostmi GaAs a Si, nabídne společnost RF Micro Devices, Inc. (RFMD) a její technologie GaN (Gallium Nitride) mnohem větší průrazné napětí (breakdown voltage) a také hustoty výkonu s nimiž lze realizovat aplikace, které byly s „konkurenčními“ technologickými procesy prakticky neuchopitelné.

 

 

Vysoká výkonová hustota struktur s GaN v praxi dále znamená menší fyzické provedení součástek, což se příznivě podepisuje na dalším snižování kapacit, vyšších impedancích, větší šířce pásma a v neposlední řadě též snížených nákladech. Mezi další výhody ještě zařadíme jednodušší obvodová řešení, maximální možnou provozní účinnost, snížené požadavky na chlazení nebo též nižší hmotnost.

 

Ucelená nabídka GaN RF Power od RF Micro Devices (na HW serveru čtěte též RFMD: vf technika bez hranic a v celé své šíři) zahrnuje skupiny prvků Power IC, tranzistory MPT (Matched Power Transistor), UPT (Unmatched Power Transistor) a BPT (Broadband Power Transistor), diskrétní vf spínače pro bezdrátovou infrastrukturu nebo též moduly zesilovačů pro kabelovou televizi CATV. Zesilovače, založené na technologii GaN, dodají vyšší výstupní výkony při zachování stejné míry linearity jako v případě modulů (die) GaAs a za cenu výrazně nižšího proudového odběru.

 

 

Pokud bychom měli závěry předložit v jediné větě, prohlásíme slovy výrobce, že GaN od RFMD je vyzrálou a robustní technologií s výjimečnou provozní spolehlivostí, připravenou k sériovému nasazení v celé řadě projektů.

 

V případě zájmu o konkrétní produkty RF Micro Devices kontaktujte zastoupení pro český i slovenský trh – společnost Macro Weil ( http://www.macroweil.cz/ ).