Jste zde

Přepěťová ochrana s MOSFETem

Jan Robenek, 1. Září 2009 - 6:59

STMicroelectronics nabízí integrovanou, přepěťovou ochranu se čtyřmi prahovými úrovněmi, reagující na snahy o zavedení univerzálních nabíječek, třeba pro mobilní telefony.

Obvodem STBP120, Overvoltage protection device with thermal shutdown, zajišťuje STMicroelectronics přepěťovou ochranu pro vstupní napětí až do +28 V se čtyřmi prahovými úrovněmi v rozmezí od 5.375 V až do 6.02 V. Zabudovaný spínací MOSFET s kanálem typu N a nízkým odporem v sepnutém stavu Rds(on) o velikosti 90 mΩ chrání obvody, připojené na výstupní pin, před poruchami stejnosměrného napájecího zdroje v souladu se standardem China Communications Standard YD/T 1591-2006. Při detekci nebezpečného napětí vysílá součástka pokyn spínacímu prvku, který okamžitě odpojuje nevyhovující zdroj napájení.

Ochrana v podobě STBP120 si ještě umí ohlídat i vlastní teplotu a vypnout vestavěný MOSFET v případě, že teplota přechodu překročí definovanou hranici. Obvod může být jednoduše ovládán třeba pomocí mikrokontroléru, kterému zase dokáže zpětně vrátit stavovou informaci o chybě.

STBP120 v jeho typickém zapojení

Spínací topologie umožňuje průchod proudu v obou směrech, tj. i zpětně z výstupu na vstup. Tento způsob může být užitečný např. při napájení vnějších periférií prostřednictvím systémového konektoru. 10pinové pouzdro TDFN zabere na plošném spoji 2.5 mm x 2 mm.

Blokové schéma ochrany

Základní vlastnosti STBP120:

Vstupní přepěťová ochrana až do 28 V
Vestavěný spínací MOSFET s kanálem typu N
- Nízký odpor v sepnutém stavu Rds(on) = 90 mΩ
Integrovaná nábojová pumpa
Teplotní shutdown
Softstart vyrovnávající nárazové proudy
Povolovací vstup (EN)
Indikace chyby (FLT)
ESD ochrana vstupu až do ±15 kV (výboj ve vzduchu) resp. ±8 kV (kontaktní výboj) v typické aplikaci se vstupní kapacitou 1 μF (±2 kV HBM pro samostatné zařízení)
Vyhovuje China Communications Standard YD/T 1591-2006 (jen pro přepěťovou ochranu)
10vývodové pouzdro TDFN s rozměry 2.5 x 2 mm
- RoHS compliant