Jste zde

Pryč s dráty, vždyť dobíjet se dá i bez nich

Jan Robenek, 22. Červen 2012 - 0:00

Usměrňovací struktura plného můstku s logem ON Semiconductor a MOSFETy, vykazujícími malý odpor v sepnutém stavu, definuje nové úrovně bezdrátového nabíjení nejrůznějších moderních zařízení.

Ve společnosti ON Semiconductor představili integrovaný obvod s označením

NMLU1210,

Power MOSFET 20V 3.2A 26 mOhm Dual N-Channel uDFN8 Full Bridge Rectifier,

tj. inovativní řešení části systému bezdrátového dobíjení s výkonovými MOSFETy, které bude „svědčit“ komfortnímu přenosu energie do mobilních telefonů, tabletů, kapesních přehrávačů, digitálních fotoaparátů či jednotek GPS. V pouzdru obvodu NMLU1210 proto hledejme 20 V semi – synchronní usměrňovač v konfiguraci plného můstku (kanál typu N), využívající ke své činnosti dvě Schottkyho diody zatížitelné proudem o velikosti až 3,2 A, spolu s dvojicí MOSFETů, vykazujících v sepnutém stavu typický odpor R_ds(ON) o velikosti 17 mΩ, díky němuž lze ještě více minimalizovat vlastní ztráty a výrazně tak navýšit účinnost celého nabíjecího procesu.

Ve velkém stylu: Rožnov zdobí nové vývojové centrum

V úterý 22. května 2012 bylo v Rožnově pod Radhoštěm slavnostně otevřeno nové vývojové centrum společnosti ON Semiconductor. Nově postavenou budovu, ve které vznikají energeticky úsporná řešení pro řízení napájení, si včetně jejího vybavení přijel oficiálně prohlédnout i HW server.

Popularita induktivního bezdrátového nabíjení roste, protože dokáže uživatele oprostit od určité míry nepohodlí, provázané s dosud ještě stále klasickým „prodrátováním“. Nevyhýbá se ani bouřlivému nástupu elektromobilů, které by tak bylo možné dobíjet i za plné rychlosti, takže majitele takového vozu by již netrápila dojezdová vzdálenost. Desky by se vložily do jízdních pruhů na dostatečně dlouhé vzdálenosti, což by umožnilo dobití i 100 procent kapacity akumulátoru – na stránkách HW serveru viz např. článek Bezdrátové dobíjecí stanice prodlouží dojezdovou vzdálenost. My však zůstaneme u menších zařízení, která si srovnatelný komfort rovněž zaslouží.

Vše vychází z principu elektromagnetického pole, využívaného k rychlému transferu energie mezi vysílací jednotkou v dobíjecí stanici a přijímačem, situovaným např. v našem kapesním zařízení. Struktura obvodu NMLU1210 pak nachází uplatnění právě na straně přijímače ke konverzi střídavého napětí (AC), generovaného vysílačem, na stejnosměrnou úroveň (DC), použitelnou již k samotnému nabíjení. Díky mimořádně nízké vlastní parazitní indukčnosti použitého způsobu zapouzdření s odpovídajícími teplotními charakteristikami můžeme proto hovořit o optimalizaci zejména pro kapesní elektroniku a její úlohy řízení napájení. Kompaktní provedení pouzdra o rozměrech 4,0 mm x 4,0 mm x 0,5 mm (µCool, samozřejmě též RoHS-compliant) vyhoví i stísněným podmínkám. Teplotní rozsah pokrývá oblast od −55 ⁰C až do +125 ⁰C.