Nová řada MOSFET tranzistorů StrongIRFET od společnosti Infineon je vhodná pro napětí 40 nebo 60 V. Unipolární tranzistory se používají zejména ve spínaných zdrojích, proto je důležitým parametrem odpor v sepnutém stavu(RDS), který by měl být co nejmenší. Tyto tranzistory vynikají extrémně nízkým odporem v sepnutém stavu, který se pohybuje od 0,65 mΩ po 1,5 mΩ. Jsou k dispozici v miniaturním pouzdře D2PAK-7 a jejich proudová odolnost dosahuje až 360A. Díky tomu jsou vhodné pro aplikace s vysokou hustotou výkonu, kde je vyžadována vysoká účinnost a spolehlivost. Své uplatnění proto naleznou v bateriově napájených aplikací jako je ruční elektrické nářadí, systémy pro správu baterií či zálohovací napájecí zdroje.
Vlastnosti
- Certifikace dle normy JEDEC
- Optimalizováno na 2,5 V, 5 V a 10 V napětí hradel
- Extrémně nízký odpor RDS ( 0,65 mΩ až 1,5 mΩ)
- Křemík optimalizovaný pro aplikace přepínající pod 100 kHz
- Poskytuje imunitu proti falešnému zapnutí v zarušeném prostředí
Výhody
- Poskytuje flexibilitu při výběru k dané aplikaci
- Testované podle průmyslových standardů
- Vysoký výkon v nízkofrekvenčních aplikacích
- Zvýšená hustota výkonu
Aplikace
- Elektrické nářadí
- Lehká elektrická vozidla (LEV)
- Záložní zdroje napájení (UPS)
- Solární aplikace
- Průmyslové pohony
- Bateriové aplikace (BPA)
Více informací na:
- IRF40SC240: 40 V N-Channel, 360 A, 0.65 mΩ
- IRF60SC241: 60 V N-Channel, 360 A, 1.3 mΩ
- IRL60SC216: 60 V N-Channel LL, 324 A, 1.5 mΩ
