Jste zde

ON: Menší řešení aktivního potlačení interferencí nehledejte

Jan Robenek, 30. Říjen 2011 - 23:00

ON Semiconductor přichází s nejmenším aktivním řešením potlačení nežádoucích interferencí v systémových rozvodech taktovacích kmitočtů. Obvody mají pouze čtyři vývody a vychází přitom z bloku PLL a modulátoru.

Ve společnosti ON Semiconductor představili dvojici miniaturních obvodů s označením

P3MS650100H,
- 1.8V/2.5V/3.3V, LVCMOS Peak EMI Reduction Clock Generator a
P3MS650103H,
- 1.8V/2.5V/3.3V, LVCMOS Peak EMI Reduction Clock Generator.

Jedná se o aktivní, integrované hodinové struktury s výstupem LVCMOS, pracující v rozprostřeném kmitočtovém spektru, jejichž hlavním cílem je potlačení elektromagnetických interferencí (EMI), resp. vysokofrekvenčních interferencí (RFI) ve spojitosti se zdrojem taktovacího kmitočtu v nejrůznějších přenosných, často také bateriově napájených systémech. Jsou tudíž ideální pro nasazení v prostorem omezených aplikacích typu mobilních telefonů či tabletů, kde může oblast EMI / RFI představovat zásadní problémy a kde je již dopředu vyžadována shoda s příslušnými předpisy. Díky svému miniaturnímu provedení pouzdra typu WDFN se čtyřmi vývody o celkových rozměrech 1 mm x 1,2 mm x 0,8 mm se tyto nové univerzální prvky stávají nejmenším samostatně vystupujícím aktivním řešením potlačení EMI / RFI ve své třídě s polem působnosti pro zdroj hodinového kmitočtu, stejně jako pro následné taktovací či datové signály, odvozené od původního zdroje.

Díky svému miniaturnímu provedení pouzdra typu WDFN se čtyřmi vývody o celkových rozměrech 1 mm x 1,2 mm x 0,8 mm se tyto nové univerzální prvky stávají nejmenším samostatně vystupujícím aktivním řešením potlačení EMI / RFI ve své třídě s polem působnosti pro zdroj hodinového kmitočtu, stejně jako následné taktovací či datové signály, odvozené od původního zdroje

Obvody P3MS650100H a P3MS650103H podporují vstupní napěťový rozsah od 1,8 V až do 3,3 V, typickou odchylku 0,45 % až 1,4 % a také omezení EMI / RFI u zdrojů taktovacího kmitočtu s frekvenčním rozsahem 15 MHz až 60 MHz. Rozsah provozních teplot přitom pokrývá oblast od -20 ºC až do +85 ºC. Dostupnost většího počtu integrovaných obvodů z této rodiny, zaměřené na různé kmitočtové rozsahy či odchylky, se plánuje již na první kvartál roku 2012.

Základní vlastnosti P3MS650103H:

Potlačení EMI ve spojení se zdrojem taktovacího kmitočtu, výstup LVCMOS
Rozsah vstupního / výstupního kmitočtu:
- 1,6 V – 2,0 V: 15 MHz - 30 MHz
- 2,3 V – 3,6 V: 15 MHz - 60 MHz
Odchylka kmitočtu ±0,45 % @ 24 MHz
Odběr v režimu Power Down méně než 1 µA
4vývodové provedení pouzdra typu WDFN, rozměry 1 mm x 1,2 mm x 0,8 mm
Výstupní proud:
- 1,8 V: 8 mA
- 2,5 V / 3,3 V: 16 mA