Ve společnosti ON Semiconductor představili novou rodinu šesti tranzistorů MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) s kanálem N, které výrobce navrhl a dále pak optimalizoval s prostým cílem: zajistit maximální možnou míru účinnosti v porovnání s dostupnými součástkami na trhu. Řady MOSFETů označené jako NTMFS4Hxxx a NTTFS4Hxxx budou vhodné pro spínané aplikace v celé řadě systémů, včetně serverů, různých síťových zařízení a DC/DC měničů s vysokou hustotou výkonu, nebo též k podpoře synchronního usměrňování v modulech PoL (point-of-load). Jednotlivé verze tranzistorů máme k dispozici s nebo také bez integrované Schottkyho diody, takže vývojáři budou schopni dosahovat ještě vyšší účinnosti.

 

ON se s neustále rostoucím trendem v podobě „zelené“ elektroniky a její spotřeby ztotožňuje dlouhodobě. Nyní tedy optimalizoval nejen návrh, ale také způsob pouzdření a použité materiály nových Power MOSFETů s přihlédnutím právě k omezení nežádoucích ztrát při vedení nebo spínání. Ve výsledku se tak budeme „potkávat“ s odporem v sepnutém stavu R_DSon na úrovni 0,7 mΩ, resp. vstupní kapacitou 3 780 pF. Zvláštní pozornost byla rovněž věnována teplotním závislostem společně s nízkým odporem pouzdra a parazitní indukčností.

 

Výkonové prvky NTMFS4H01N, NTMFS4H01NF, NTMFS4H02N a NTMFS4H02NF dostaneme v Pb-free pouzdrech typu S08-FL a to za cenu $2.99, $3.06, $1.86, resp. $1.93, platnou při odběru 1 500 ks, zatímco tranzistory NTTFS4H05N a NTTFS4H07N budou při stejném odběru k dispozici v Pb-free pouzdrech µ8-FL s cenovkou $0.86 a $0.67.

 

 

Zdroj: ON