U obvodů pro power management pro výběr často stačí filtrovat podle cílového sektoru (spotření elektronika, průmysl, automotive nebo třeba nositelná elektronika), většina parametrů je potřebám aplikací naprosto přizpůsobena. Stejně je to u nového obvodu TPSM53604 od TI, určeného průmyslové systémy: Výstup 36 V, 4 A, pracovní teplota do 105°C.
Parametry standardní, pouzdro QFN 5x5,5 mm... tedy o 30% menší než jiné moduly se stejnými parametry. Pokud konstruktéra neoslové velikost, protože místa na desce má dost, je důležité připomenout, že proto, aby se tento výkon do čipu vešel, bylo nutné zvýšit účinnost, tedy snížit odpor a tepelné ztráty (a to je kromě konstrukce také ekologie). Důležitá je již samotná volba pouzdra QFN, které dosedá na desku 42% plochy, což umožňuje lepší rozptyl tepla než BGA pouzdro. O snížení ztrát se stará také MOSFET s nízkým odporem RDS(on), který dosahuje účinnosti až 90%. Vysoká integrace zároveň zajišťuje vhodnost konvertoru pro aplikace ve standardu EMI 11 Class B
K obvodu má TI zpracovaný také referenční návrh, který pro celý napájecí modul vyžaduje pouze 85 mm2.
http://www.ti.com/product/TPSM53604
