Na trhu je mnoho typů Schottkyho diod, ale diody SBD řady YQ se speciálně vyvinutou strukturou Trench MOS poskytují nižší napětí VF a IR než planární typy, a tím jsou schopny dosáhnout vyšší účinnosti.
Patentovaný design dosahuje doby zpětného zotavení trr 15 ns, a díky tomu se sníží ztráty způsobené trr o 37 % a celková spínací ztráty o 26 % oproti běžným produktům. Nová struktura také zlepšuje ztráty způsobené VF i IR. To vede k nižším ztrátám energie při použití v usměrňovacích obvodech a všude tam, kde je aplikováno předpětí.
Zároveň se diody vyznačují menším rizikem tepelného úniku. Díky výše uvedeným vlastnostem jsou ideální pro vysokorychlostní spínání, tedy obvody pro automobilové LED světlomety a DC-DC měniče v xEV, kde se generuje obrovské množství ztrátového tepla.
SBD Trench MOS struktura
Struktura Trench MOS je vytvořena velmi tenkou vrstvou polysilikonu, která snižuje koncentraci elektrického pole. Tím se dosáhne nižší hodnoty napětí VF v propustném směru a zpětného proud IR. Výsledkem je, že řada YQ zlepšuje napětí VF a IR o cca. 7 %.
Více informací naleznete na https://www.rohm.com/products/diodes/schottky-barrier-diodes
