Jste zde

ST přidalo tranzistoru další nožičku. Bude s ním radost spínat

Jan Robenek, 31. Květen 2013 - 0:00
Inovativní pouzdro nejnovějších MDmesh™ V Super-Junction MOSFETů se čtyřmi vývody přichází na své vstupní straně s možností vyhrazeného řízení pro navýšení dosahované účinnosti výkonového tranzistoru během spínání.
Společnost STMicroelectronics představila první MDmesh™ V Super-Junction MOSFET s novou technologií svého pouzdření, zvyšující účinnost výkonových obvodů v zařízeních typu bílého zboží, televizorů, telekomunikačních nebo též počítačových systémů a serverů s přihlédnutím k jejich napájecím zdrojům, provozovaným ve spínaném režimu. Nové pouzdro typu TO247-4 se čtyřmi vývody totiž nabídne možnost přímého propojení se source a to jen pro účely řízení samotného spínání, zatímco s tradičními přístupy bychom díky jedinému vývodu zároveň přistupovali též k silové části. Vývod navíc se tak podepisuje pod vyšší účinností při spínání – ve výsledku dokážeme snižovat ztráty energie a provozovat systém mnohem kompaktnějšího zdroje napájení na vyšších pracovních kmitočtech.
 
 
Řešení na způsob TO247-4 si při náhradě standardních prvků TO-247 žádá pouze minimální úpravy na desce plošného spoje. Na vývoji pouzdra ST spolupracovalo se společností Infineon, která rovněž představuje své vlastní nové prvky typu Super-Junction spolu s flexibilitou druhého vývodu source.

Pouzdra TO247-4 se v našem případě uvnitř vyznačují inovativní konstrukcí s využitím Kelvinova spojení k vývodu source, díky kterému již neřešíme běžně se vyskytující parazitní indukčnosti hlavní silové větve a vyřadíme tak ze hry až 60 % ztrát vnikajících při spínání tranzistoru, zatímco vývojáři budou moci pracovat s vyššími spínacími kmitočty, které si zároveň žádají i menší filtrační součástky.
 
Spojení nového způsobu pouzdření spolu s technologií MDmesh Super-Junction od ST, dosahující jedné z nejvyšších účinností při vedení – vztaženo na plochu křemíku –, tak nyní může zajistit velmi dobré výsledky v otázce celkových úspor energie.

 
Představovanou součástkou se konkrétně stal tranzistor s označením
 
STW57N65M5-4,
  • N-channel 650 V, 0.056 Ohm typ., 42 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in a TO-247-4 package.
 
Coby první prvek MDmesh, vyráběný v pouzdru TO247-4, bude nápomocen při navyšování účinnosti v oblasti aktivních PFC obvodů (Power-Factor Correction) a napájecích měničů v provedení full-bridge nebo též half-bridge v řadě spotřebních, ale taky průmyslových systémů.


 

Další vlastnosti STW57N65M5-4 v pouzdrech TO247-4:

 
  • Vysoká odolnost vůči rušení, snižující náchylnost k elektromagnetickým interferencím EMI
  • Rozšířený napěťový rozsah pro vyšší bezpečnostní rezervu
  • Vysoké dv/dt s ohledem na větší spolehlivost
  • „100 % avalanche tested“ – podporuje nasazení v drsnějších podmínkách
     


Cena a dostupnost:

 
STW57N65M5-4 se již vyrábí sériově. Při odběru 1 000 ks a více zaplatíme za jeden tranzistor od $10.00.
 

 

Download a odkazy:

 

 

Hodnocení článku: