V posledních letech došlo v komunikačních základnových stanicích a průmyslových zařízeních k přechodu na vyšší napětí, a to ze systému 12 V / 24 V na 48 V. Cílem je dosáhnutí vyšší účinnosti a snížení průchozího proudu. V těchto situacích je u spínacích MOSFETů vyžadováno průrazné napětí 100 V, aby se zohlednilo kolísání napětí. Zvýšení průrazného napětí však zvyšuje odpor RDS(on), a to obvykle vede ke snížení účinnosti.
V reakci na to ROHM vyvinul dvě nové řady – HP8KEx/HT8KEx (Nch+Nch) a HP8MEx (Nch+Pch), které kombinují Nch a Pch MOSFETy. Obě řady dosahují nejnižšího RDS(on) v oboru tím, že používají inovativní pouzdra pro odvod tepla. Výsledkem je snížení RDS(on) až o 56 % ve srovnání se standardními duálními MOSFETy (19,6 mΩ pro HSOP8 a 57,0 mΩ pro HSMT8 Nch+Nch). Tyto hodnoty výrazně přispívají k nižší spotřebě energie. Kombinace dvou čipů v jednom pouzdře zároveň poskytuje větší úsporu místa. Například nahrazení dvou jednočipových MOSFETů TO-252 jedním HSOP8 snižuje zabrané místo o 77 %.
Duální Nch+Nch MOSFET
Duální Nch+Pch MOSFET
Do řady budou přidány produkty 40V, 60V, 80V a 150V
Příklady aplikací
- Motory ventilátorů pro komunikační základnové stanice
- Motory ventilátorů pro automatizaci továren a další průmyslová zařízení
- Motory ventilátorů pro servery datových center atd.
Příklady řešení s 100V duálními MOSFETy
Kombinace výše uvedených tranzistorů s na trhu osvědčenými integrovanými drivery ROHM pro jedno nebo 3-fázové bezkomutátorové motory nám dává možnost uvažovat o menších motorech s nižší spotřebou a tišším pohonem.
- HT8KE5 (Nch+Nch Dual MOSFET) + BM64070MUV
- HT8KE6 (Nch+Nch duální MOSFET) + BM64300MUV
Více informací naleznete na https://www.rohm.com/new-product/middle-power
