Jste zde

Součástky

Power GaN: tranzistory FET, které snižují spotřebu energie EV, sítí 5G a IoT aplikací

Inovativní řadu výkonových FET tranzistorů s nitridem galia vyrábí Nexperia. GaN FET tranzistory FETse vyznačují zvýšenou hustotou a účinnějším využitím energie při malých rozměrech, čímž umožňují vývoj účinných systémů při nižších nákladech.

Stránky