Výkonové obvody

Jak na světelné zdroje s LED a výkony od 1 až do 400 W

Jan Robenek, 20. Červenec 2011 - 0:00

Fairchild Semiconductor vývojářům představuje ucelenou nabídku odpovídajících polovodičových řešení nízko, středně a také vysoce výkonných aplikací pro osvětlení s LED. Cílem se zde stává široká nabídka, jednoduchost nasazení, určitá přidaná hodnota a pochopitelně všudypřítomná maximální účinnost.

ISL9768x: O proudové shodě a rovnoměrném podsvětlení

Jan Robenek, 15. Červenec 2011 - 0:00

Kompaktní integrované budiče LED ISL97682/3/4 až s 90 procentní účinností nabídnou vynikající shodu mezi jednotlivými kanály a také odpovídající přesnost pro koncové aplikace podsvětlení.

LM3435: Budič RGB LED pro přenosné projektory

Jan Robenek, 4. Červenec 2011 - 0:00

Společnost National Semiconductor představuje integrovaný obvod LM3435, první 2 A budič RGB LED pro přenosné projektory, na jehož výstupu nalezneme tři vysoce svítivé LED v zapojení se společnou anodou, řízené sekvenčně a s využitím jediné indukčnosti.

Robustní spínač s aktivním řízením di/dt

Jan Robenek, 27. Červen 2011 - 0:00

Společnost IR představila inteligentní výkonový spínač IPS s vysokou mírou integrace a chráněným aktivním řízením di/dt, který značnou měrou potlačuje elektromagnetické interference po vedení včetně spínacích ztrát a přispívá ke zjednodušení návrhu řízení DC motorů v automobilovém průmyslu.

16kanálový budič LED: PWM, korekce i diagnostika

Jan Robenek, 2. Květen 2011 - 0:00

Nabídka společnosti austriamicrosystems se rozrůstá o propracovaný budič LED s označením AS1121.

Trojice obvodů IR pro kompenzaci účiníku

Jan Robenek, 1. Duben 2011 - 0:00

Rodina integrovaných obvodů IR115x pro kompenzaci účiníku nabídne zesílenou ochranu včetně zabezpečení systému a také, jak jinak, i dostatečně malé rozměry.

ST zvyšuje spolehlivost a také účinnost osvětlení s LED

Jan Robenek, 17. Březen 2011 - 0:00

Integrovaný obvod HVLED805 dokazuje, že účinnost včetně spolehlivosti moderního svítidla není pouze a jen o LED, ale také o vhodné topologii, zde konkrétně s regulací přímo na primární straně a bez poněkud problematického optočlenu.

15 a 25 A snižující měniče SWIFT™ od TI

Jan Robenek, 9. Březen 2011 - 0:00

Jednoduše použitelný 25 A měnič zapracovává technologii NexFET™, je až o pět procent účinnější a ve srovnání s jinými strukturami spíná více než 1,5x rychleji.

Nové výkonové MOSFETy ON Semiconductor nejen do auta

Jan Robenek, 17. Únor 2011 - 0:00

Šestice nových výkonových MOSFETů, kompatibilních s logickými úrovněmi a vyhovujících AEC-Q101, nyní v ještě menším provedení, umocněném vysokou proudovou zatížitelností spolu s malým odporem v sepnutém stavu, splňuje požadavky, které na polovodiče klade náročný provoz v rámci automobilového průmyslu.